FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS，DIP8封裝

FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS，DIP8封裝

FT838MBD五星能效5V2A充電器IC

FT838MBD 10W充電器方案

五能效充電器適配器主控芯片F(xiàn)T838MBD

應(yīng)用：充電器

功率：5V/2A

輸入電壓范圍：90~264V

輸出電壓/電流：5V/2A

尺寸：45.3*36.9mm

典型效率：79％

ＥＭＩ：Pass

空載待機(jī)功耗：<120mw

zui大輸出紋波：<80mvp-p

方案名稱：FT838MBD_5V/2A

產(chǎn)品優(yōu)勢：

1. 高效率>=78.7% @115V/230V

2. 低待機(jī)功耗<120mw

3. 輸出紋波噪音低<80mv

4. 內(nèi)置MOS，DIP8封裝，IC溫升低，外圍元件少，成本低

5. 在五星能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量。

深圳代理(索取更多方案資料技術(shù)及樣品提供）

聯(lián) 系 人 ：孫蘭

地  址 : 深圳市福田區(qū)振華路47號家樂大廈四樓B3

電  話：/      

企 業(yè) ：2850187696

特色概述

 電壓輸入范圍（90Vac~264Vac）

 高效率

 Efficiency ≥ 78.65% @115Vac/230Vac

 低待機(jī)功耗

 < 120mW

 輸出紋波噪音低

 <80mV

 輸出短路保護(hù)

 輸出過流保護(hù)

 的容性負(fù)載啟機(jī)特性

 在5 能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量

 內(nèi)置功率MOS，DIP-8 封裝，IC 溫升低；外圍元件簡潔，成本低。

1 簡介

FT838MBD_5V 2.0A 是款寬電壓輸入（90Vac~264Vac），具有高效率，高性價(jià)比

的充電器適配器方案。

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